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iSuppli中國安防市場預(yù)測：住宅市場仍然大有希望（二）
據(jù)iSuppli公司，2012年中國安防產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計將從2007年的151億美元增長到247億美元，復(fù)合年增長率為10.3%。2008年該市場的營業(yè)收入將增長到176億美元，比2007年上升16.3%。同時，全球安防市場營業(yè)收入預(yù)計今年將達到425億美元，比2007年增長6.7%。
2009-01-25
安防市場 住宅 IP攝像頭 監(jiān)視系統(tǒng) 視頻監(jiān)視 訪問控制 侵入偵測 智能管理
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雅迪可簡化安裝過程的混合型PROFINET電纜
德資雅迪HARTING技術(shù)集團新的混合型PROFINET電纜在一根電纜中結(jié)合了PROFINET 數(shù)據(jù)和24 V配電。它的安裝簡單快速，可確保您的設(shè)備和系統(tǒng)更加可靠。新型混合電纜和德資雅迪HARTING的PROFINET Han? 3A RJ45系列連接器聯(lián)合使用效果非常理想。
2009-01-25
PROFINET電纜 德資雅迪 FRNC 數(shù)據(jù)通信
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iSuppli預(yù)警：09年太陽能市場持續(xù)低迷
iSuppli集團最近表示，受供給量過大的影響，太陽能電池板組件價格下降，光伏行業(yè)連續(xù)八年來的高速增長狀態(tài)將不復(fù)存在。預(yù)計2009年電池組件的全球市場收益將會下降大約20%。
2009-01-24
光伏行業(yè) 電池組件 太陽能電池板
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市場低迷下元器件分銷攻略:得渠道者得未來（一）
2008年市場需求的下滑使電子元器件廠家的銷售壓力增大，很多企業(yè)都沒有完成預(yù)期的指標(biāo)。而2009年的經(jīng)濟形勢現(xiàn)在并不明朗，有專家認(rèn)為上半年有可能會繼續(xù)下滑，這無疑給元器件廠家的分銷工作提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。本期分銷策略專題特別邀請了業(yè)內(nèi)部分知名企業(yè)針對分銷熱點問題發(fā)表精彩觀點
2009-01-23
電子元器件 分銷 市場 模擬器件 demandcreation designin
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淺析ESD防護與ESD防護器件
ESD會對電子產(chǎn)品帶來致命損害，本文介紹了防止ESD產(chǎn)生和保護電子設(shè)備不受ESD損害的方法。并專門介紹了瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)在ESD保護方面的卓越性能。
2009-01-23
MLV TVS ESD 靜電 電路保護 安森美
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市場低迷下元器件分銷攻略:得渠道者得未來(二）
2008年市場需求的下滑使電子元器件廠家的銷售壓力增大，很多企業(yè)都沒有完成預(yù)期的指標(biāo)。而2009年的經(jīng)濟形勢現(xiàn)在并不明朗，有專家認(rèn)為上半年有可能會繼續(xù)下滑，這無疑給元器件廠家的分銷工作提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。本期分銷策略專題特別邀請了業(yè)內(nèi)部分知名企業(yè)針對分銷熱點問題發(fā)表精彩觀點
2009-01-23
電子元器件 分銷 市場 模擬器件 demandcreation designin
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1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導(dǎo)體
對于采用先進、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應(yīng)用市場而言，經(jīng)過優(yōu)化的各種功率半導(dǎo)體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結(jié)合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。
2009-01-22
IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊
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電子電路產(chǎn)業(yè)穩(wěn)中有升、面臨轉(zhuǎn)型
中國電子電路產(chǎn)業(yè)將進入重新調(diào)整布局的新時代，產(chǎn)品技術(shù)含量越來越高，企業(yè)具有更多的自主研發(fā)、自主知識產(chǎn)權(quán)的項目，管理水平全面提升，企業(yè)效益不斷增長，三廢治理逐步達到國際先進水平。中國將迎來PCB業(yè)強盛的新時代。 中國電子電路行業(yè)盡管這五六年有些起伏，但是近30年來總體上保持持續(xù)高...
2009-01-19
PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路
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多晶硅量子效應(yīng)及其對MOSFET閾值電壓的影響
根據(jù)載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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