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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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FC-13E：Epson Toyocom最薄kHz頻率范圍晶體單元
Epson Toyocom將最薄0.48mm Max.的kHz頻率范圍晶體單元(音叉型晶體單元)FC-13E實現(xiàn)了商品化。
2008-06-11
FC-13E 晶體單元
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FC30：意法半導體便攜應用3D方位傳感器
意法半導體推出一款全新3D方位傳感器，是ST計劃開發(fā)的新系列傳感器產(chǎn)品的首款產(chǎn)品。通過在一個簡單易用的表面貼裝封裝內(nèi)整合多項傳統(tǒng)傳感器功能，ST計劃開發(fā)一系列重要的多功能MEMS傳感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠標單擊/雙擊檢測功能，使設計人員能在產(chǎn)品設計內(nèi)集成鼠標按鍵控制功能。
2008-06-11
FC30 便攜應用 傳感器
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ADXL001：ADI公司基于MEMS的振動傳感器
ADI最新推出一款寬帶寬的MEMS振動傳感器ADXL001，可以更好的監(jiān)控工廠設備性能，縮短因不可預測的系統(tǒng)故障造成的高成本宕機時間。ADXL001工業(yè)振動與沖擊傳感器基于ADI公司的運動信號處理技術，使工業(yè)過程控制儀器設計人員采用簡單的傳感器解決方案就可實現(xiàn)高性價比、高性能且可靠的寬帶振動監(jiān)控。
2008-06-10
ADXL001 振動傳感器
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B82466G0*/B82467G0*/B82469G1*：EPCOS新電感器系列
愛普科斯(EPCOS)開發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。
2008-06-01
B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器
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宇陽控股0201超微型MLCC通過鑒定
宇陽控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過國家科學技術部授權組織科學技術成果鑒定，標志著公司成為全國首家成功開發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽 0201 MLCC
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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