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MEMS機(jī)油壓力傳感器可靠性研究

發(fā)布時(shí)間:2008-10-15 來源:中電網(wǎng)

中心論題:

  • 分析MEMS機(jī)油壓力傳感器的工作原理和制造工藝
  • 從機(jī)油壓力傳感器封裝材料及各個(gè)工藝步驟等方面研究可靠性

解決方案:

  • 選用工藝簡單、成本較低的貼片膠工藝進(jìn)行貼片
  • 采用雙金絲鍵合工藝,選用高純度低缺陷的金絲,做好引線鍵合前各封裝器件的清潔工作
  • 選擇高溫下穩(wěn)定的硅油和有良好鈍化層的芯片必要時(shí)對芯片以及引線進(jìn)行涂敷鈍化層處理

 

 

引言
MEMS是在集成電路生產(chǎn)技術(shù)和專用的微機(jī)電加工方法的基礎(chǔ)上蓬勃發(fā)展起來的高新技術(shù),用MEMS技術(shù)研制的壓力傳感器具有體積小、重量輕、響應(yīng)快、靈敏度高、易于批量生產(chǎn)、成本低的優(yōu)勢,它們已經(jīng)開始逐步取代基于傳統(tǒng)機(jī)電技術(shù)的壓力傳感器。目前已有多種MEMS壓力傳感器應(yīng)用到了汽車電子系統(tǒng)中,如發(fā)動(dòng)機(jī)共軌壓力、機(jī)油壓力、歧管空氣進(jìn)氣壓力、汽車胎壓壓力等。其中機(jī)油壓力傳感器是用于測量汽車發(fā)動(dòng)機(jī)油壓力的重要傳感器,其可靠性直接關(guān)系到汽車和人的安全性。本文選用MEMS壓力芯片,成功開發(fā)出汽車發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器,研究了機(jī)油壓力傳感器的封裝工藝和可靠性。在傳感器的開發(fā)過程中,嚴(yán)格按汽車電子產(chǎn)品質(zhì)量要求,對傳感器的封裝及組裝過程進(jìn)行了系統(tǒng)的分析和測試,并通過工藝優(yōu)化極大地提高了傳感器的可靠性能。

工作原理和制造工藝
MEMS壓力傳感器是利用壓阻效應(yīng)原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴(kuò)散,沿單晶硅片上的特定晶向,制成應(yīng)變電阻,構(gòu)成惠斯通電橋,利用硅材料的彈性力學(xué)特性,在同一硅材料上進(jìn)行各向異性微加工,制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的擴(kuò)散硅傳感器。通常傳感器芯片上制作有4個(gè)多晶硅電阻,電阻制作在硅薄膜的邊沿位置,這是因?yàn)樵诒∧さ倪呇靥?,?dāng)薄膜受到作用力時(shí),應(yīng)變引起的電阻變化最大。4個(gè)壓阻R1,R2,R3,R4組成惠斯通電橋構(gòu)成壓力檢測電路,當(dāng)電橋中輸入電壓為Vin,并設(shè)膜片上的4個(gè)壓阻相等(即R1=R3=R3=R4=R),當(dāng)薄膜受力變形時(shí),兩個(gè)電阻變大,兩個(gè)電阻變小,且△R1=-△R2=△R3=-△R4=△R,則其輸出電壓Vout可表示為


 
式中Voffset是在零應(yīng)力和零應(yīng)變時(shí)傳感器的輸出。由式(1)可知壓阻壓力傳感器有兩種工作方式,一種是恒電壓工作方式,另一種為恒流工作方式。

MEMS壓力傳感器的一一種重要封裝形式是采用充油的不銹鋼結(jié)構(gòu),稱為充油壓敏芯體,其基本制造工藝過程包括貼片、引線、封裝殼體、充油及二次組裝等。圖1是充油壓敏芯體結(jié)構(gòu)示意圖,圖2是壓力傳感器二次封裝樣品。

 

可靠性實(shí)驗(yàn)
芯片貼片工藝
傳感器的貼片工藝對傳感器的性能影響很大,一般要求有足夠的貼片強(qiáng)度、盡可能小的貼片應(yīng)力和能滿足傳感器的工作溫度等。用于壓力芯片的貼片材料主要有焊料和膠,不同的貼片材料對傳感器性能影響有很大不同。由于焊料貼片時(shí)要求對芯片背面進(jìn)行金屬化處理,工藝相對較復(fù)雜,而用膠進(jìn)行貼片,其工藝更簡單,且成本較低,所以本壓力傳感器選用貼片膠工藝進(jìn)行貼片。由于固化后膠的軟硬對傳感器的性能有很大影響,通過實(shí)驗(yàn)測試了軟硬膠對壓力傳感器零點(diǎn)輸出的影響,針對同一芯片,分別采用無貼片膠、軟貼片膠(楊氏模量約為1~100 MPa量級,玻璃化溫度低于-40 ℃)、硬貼片膠(楊氏模量為3.56 GPa,玻璃化溫度為85℃)等三種情況,在-30~125℃下對傳感器的零點(diǎn)輸出進(jìn)行了測試,測試結(jié)果如圖3所示,圖中給了兩個(gè)傳感器樣品的測試結(jié)果。

 

從圖3可以看出,貼片膠對傳感器零點(diǎn)的影響隨溫度變化而變化,在低溫時(shí),使用了硬膠貼片的傳感器的零點(diǎn)明顯高于使用軟膠與無膠的,這種差別隨著溫度的升高變得越來越小。這主要有三個(gè)原因:①貼片膠的彈性模量隨溫度的升高而變小;②貼片膠高溫固化,在低溫時(shí)會引起收縮殘余應(yīng)力;③貼片膠和芯片材料熱膨脹系數(shù)不同產(chǎn)生的熱應(yīng)力。特別需要注意的是,在85℃之后,硬膠的影響突然變小,小到幾乎與無膠的情況相同。這是因?yàn)橛材z的玻璃化溫度(Tg)為85℃,高于Tg點(diǎn)時(shí)膠的楊氏模量變小,因而對傳感器的零點(diǎn)溫漂影響變小。因此,在選用貼片膠時(shí),要求膠的Tg大于傳感器的工作溫度,以確保傳感器零點(diǎn)的穩(wěn)定性和工作的可靠性。

引線鍵合工藝
用于引線鍵合的鍵合線有Al線和Au線,由于Au線性能更優(yōu),所以壓力傳感器的鍵合工藝選用Au線。鍵合時(shí)要使鍵合面保持清沽,否則會影響鍵合強(qiáng)度,等離子清洗是一種能有效提高鍵合強(qiáng)度的方法。由于機(jī)油壓力傳感器工作環(huán)境惡劣,尤其是頻繁的振動(dòng)會導(dǎo)致金絲有缺陷的地方疲勞斷裂,或者最容易疲勞的位置如第二焊點(diǎn)附近的頸部位置發(fā)生斷裂,因此要求更高的鍵合質(zhì)量。曾對所研制的機(jī)油壓力傳感器進(jìn)行了臺架試驗(yàn),在一批試驗(yàn)樣品中經(jīng)過6×105次加壓和卸壓試驗(yàn)之后,發(fā)現(xiàn)有兩個(gè)樣品失效,故障分析結(jié)果表明:一個(gè)樣品的失效模式為信號處理電路上的一個(gè)電阻損壞;另一個(gè)樣品的失效模式為金絲線斷裂,如圖4(a),(b)所示。對于這種情況,可以采用雙金絲鍵合工藝,并盡量選用高純度、低缺陷的金絲,并做好引線鍵合前各封裝器件的清潔工作,如圖4(c)所示。這樣對金絲鍵合工藝進(jìn)行改進(jìn)后,在可靠性試驗(yàn)中,未曾出現(xiàn)金絲斷裂的質(zhì)量問題。




 
硅油的選擇和處理
由于芯片對所處環(huán)境的要求比較特殊,所以與硅芯片接觸的硅油需要具備以下特點(diǎn):良好的介電性能、盡可能小的熱脹系數(shù)、化學(xué)穩(wěn)定性好以及耐熱和耐寒性能好。硅油的凈化處理是薄膜隔離式壓力傳感器封裝中至關(guān)重要的工藝步驟,因?yàn)槿魞艋桓蓛?,硅油或傳感器受壓部分的充油腔?nèi)就會混有氣體、水分等可壓縮、易揮發(fā)的物質(zhì),在全溫區(qū)內(nèi)的體積變化就會沒有規(guī)律可言,造成外界的待測壓力不能準(zhǔn)確、規(guī)則地傳遞到芯片,從而使得壓力傳感器的溫漂比較嚴(yán)重。這種現(xiàn)象反映在零點(diǎn)的溫漂上,可以用來評價(jià)封裝的好壞。通常,由于在恒壓源激勵(lì)的情況下壓力傳感器的靈敏度溫度系數(shù)為負(fù)值,所以壓力傳感器的零點(diǎn)稍有下降,如圖5的樣品5,6,7,8所示;而硅油凈化不充分的壓力傳感器零點(diǎn)的溫漂卻非常大,且隨著溫度的升高而升高,如圖5中的樣品1,2,3,4所示。試驗(yàn)表明,像樣品1,2,3,4這類溫漂很大的傳感器的溫度補(bǔ)償是比較困難的,所以封裝時(shí)必須確保硅油品質(zhì)和填充量恰到好處。


 
硅油長期在高溫下工作會發(fā)生變化,如果新分解的化學(xué)成分里面有小顆粒的導(dǎo)電物質(zhì),這種物質(zhì)可能會穿過芯片的鈍化層破壞芯片或者介入擴(kuò)散電阻條中間,形成短路或污染。如圖6是隔離封裝的壓力傳感器在125℃高溫下長時(shí)間放置的數(shù)據(jù)曲線。

 
1#,2#,3#涂敷了保護(hù)層,4#,5#沒有涂敷保護(hù)層。可以看到,沒有保護(hù)層的傳感器在高溫下存儲了約200 h后,它的零點(diǎn)突然發(fā)生了變化,之后數(shù)據(jù)不穩(wěn)定;涂了保護(hù)層的壓力傳感器的零點(diǎn)在600多小時(shí)后仍然很穩(wěn)定。因此,為了防止硅油的污染導(dǎo)致壓力傳感器的失效,我們采取了一些必要的措施。首先,選擇高溫下盡可能穩(wěn)定的硅油;其次,盡量選擇具有良好鈍化層的芯片;最后,在不影響靈敏度的前提下,還可以在封裝過程中對芯片以及引線進(jìn)行涂敷鈍化層的處理。

結(jié)論
分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,機(jī)油壓力傳感器封裝材料及各個(gè)工藝步驟都會影響傳感器的性能和可靠性。貼片膠性能不能滿足要求,會引起傳感器信號漂移和高溫不穩(wěn)定性;引線鍵合強(qiáng)度不夠,在工作中會斷裂;硅油化學(xué)穩(wěn)定和耐溫性能不夠好,會造成傳感器高溫輸出信號不穩(wěn)定,硅油中的空氣和雜質(zhì)會造成傳感器零點(diǎn)輸出偏大等,這些問題的存在將影響傳感器的長期可靠性。

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