【導讀】在過去十年中，移動無線數(shù)據(jù)快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術，以滿足用戶對無線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發(fā)展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術的需求，以幫助減少系統(tǒng)干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。
『這個知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點的知識點，結合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補缺。
在過去十年中，移動無線數(shù)據(jù)快速增長，使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術，以滿足用戶對無線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發(fā)展，也增加了對增強型射頻(RF)濾波器技術的需求，以幫助減少系統(tǒng)干擾，擴大RF覆蓋范圍，增強接收器性能，并提升共存特性。
本篇內(nèi)容將介紹RF濾波器的工作原理，以及如今的應用中使用的各種技術版本。首先介紹關于濾波器的一些基本實情，以及它們帶來的益處。
有關RF濾波器的基礎知識
先來了解這些重要的濾波器術語和概念。
? 衰減：信號在通過RF濾波器后產(chǎn)生的振幅損失，通常以分貝(dB)為單位衡量。在濾波器通帶范圍以外引用時，它也被稱為抑制。
? 截斷：濾波器響應降低3dB時對應的點。
? 插入損耗：濾波器的目標通帶中的信號功率損耗。
? 隔離：將信號彼此隔開，以防止它們之間產(chǎn)生不必要的交互。例如，您可能會隔離發(fā)送信號和接收信號，以防它們產(chǎn)生交互。
? 通帶：信號通過，但幾乎無衰減的區(qū)域。
? Q因數(shù)：品質因數(shù)的簡稱，是指在每個振蕩周期，存儲能量與損失能量之間的比率。用于測量諧振電路的選擇性。
? 紋波：通帶中插入損耗的差異。
? 選擇性：對濾波器通過或抑制特定頻率（相對于中心頻率）的能力的測量。選擇性一般是指在與濾波器的中心頻率相差指定頻率的節(jié)點所發(fā)生的損耗。
? 阻帶：濾波器達到所需的帶外抑制（由所需的分貝數(shù)表示）時應對的頻段。
圖1：典型的RF濾波器響應
濾波器去除信號中多余的頻率成分，同時保持所需的頻率帶寬。圖2顯示四種基本的濾波器以不同方式接收或抑制信號：
? 低通濾波器：允許低于某個頻率的所有頻率通過，并阻止所有其他頻率（和高通相對）
? 高通濾波器：允許高于某個頻率的所有頻率通過，并阻止所有其他頻率（和低通相對）
? 帶通濾波器：允許介于兩個頻率之間的所有頻率通過，并阻止所有其他頻率（和帶阻相對）
? 頻段抑制濾波器（也稱為帶阻或陷波濾波器）：阻止介于兩個頻率之間的所有頻率，并允許所有其他頻率通過（和帶通相對）
圖2：基本的RF濾波器和響應
濾波器技術的比較
根據(jù)應用的不同，濾波器的結構也不同。RF濾波器技術最常見的差異在于尺寸、成本和性能。濾波器的結構是導致這些差異的主要因素。以下是一些RF濾波器結構示例：
? 聲學濾波器：一種濾波器，能夠滿足低頻率和高頻率（高達9GHz），在有些特殊情況下能夠滿足高達12GHz頻率。它體積小，提供極佳的性能和成本組合，以滿足復雜的濾波器要求。聲學濾波器是商用RF微波應用（例如手機、WiFi和全球定位系統(tǒng)GPS）中最常見的濾波器結構。
? 空腔濾波器：一種只用在基礎設施應用中的濾波器。它能在合理的成本下實現(xiàn)良好的性能，但體積比聲學濾波器大。
? 分立式電感-電容（LC）濾波器：一種結構成本低，性能和體積中等的濾波器。LC元件有時候以印制結構的形式集成在基板上，稱為集成式無源器件（IPD）。LC濾波器也可以通過分立式表貼器件（SMD）元件實現(xiàn)。
? 單體式陶瓷濾波器：一種成本和性能均高于多層陶瓷濾波器的濾波器。它的體積也更大，不適合用于移動應用。
? 多層陶瓷濾波器：一款中低成本的濾波器，性能與LC濾波器相當。其占用面積通常較為合理，但厚度更大，使其無法用于有些應用。
? 濾波器可以設計用于滿足多種要求。雖然它們使用相同的基本電路配置，但當電路被設計用于滿足不同的標準時，電路值會有所不同。比如，當需要滿足帶內(nèi)紋波、以最快速度過渡到最終滾降、最高的帶外抑制等標準時，會導致不同的電路值。
了解壓電式聲學濾波器
對于如今的許多應用，首選的濾波器技術是壓電式濾波器。這些RF濾波器是體積小巧、經(jīng)濟高效的解決方案，用于許多商業(yè)、軍事和科學應用中。
壓電效應是一種可逆的物理現(xiàn)象。晶體物質在受到機械應力時產(chǎn)生電流，反之亦然。當施加電場或電壓時，晶體會有微小幅度的拉伸。壓電材料將施加的機械應力轉化為電能，也能將電能轉化為機械應力。
市面上提供兩種聲學濾波器，分別是表面聲波(SAW)和體聲波(BAW)。
如圖3所示，SAW和BAW濾波器可以分為兩類：梯式和柵格式。梯式濾波器在通帶附近有很高的抑制，但帶外抑制性能很差。柵格式濾波器提供良好的帶外抑制，在通帶附近提供較低的抑制。而梯式-柵格式的混合配置在抑制和通帶抑制性能之間實現(xiàn)折衷。
圖3：SAW和BAW配置設計
SAW濾波器
SAW濾波器應用廣泛，非常成熟。它橫向傳播高頻波。如圖4所示，利用在石英、鉭酸鋰 (LiTaO3) 或鈮酸鋰 (LiNbO3) 等壓電基板上創(chuàng)建的交錯金屬叉指式換能器 (IDT)，將電輸入信號轉換為聲波。SAW濾波器速度慢，可用于適應極小器件中穿過IDT的許多波長。
圖4：基本的SAW RF濾波器
SAW的一個關鍵優(yōu)勢在于，它能夠優(yōu)化用于600-1900MHz的標準濾波器應用。它不僅能滿足600MHz的低5G頻段，而且在1、5、8、13低手機頻段以及GPS頻段下也表現(xiàn)出色，且經(jīng)濟高效。
為了達到1900MHz以上，我們采用分層SAW技術，例如低損耗諧振器技術 (LRT)、薄膜 SAW (TF-SAW)、超SAW或性能極高 (IHP) 的SAW。這些技術使多層SAW能達到 2.7GHz，可用于中高頻段應用。高于2.7GHz時，SAW濾波器的選擇性下降。但是，在SAW濾波器的效用結束時，BAW濾波器（本章稍后會進行介紹）開始發(fā)揮作用。
溫度補償SAW
在諸多SAW技術創(chuàng)新中，有一種溫度補償SAW (TC-SAW)。TC-SAW使用熱補償層來避免熱漂移，如圖5所示。由于具有更高的溫度穩(wěn)定性，其性能要優(yōu)于標準SAW。
與傳統(tǒng)的基于SAW的濾波器和雙工器相比，TC-SAW器件集成在單晶鈮酸鋰上，且將 IDT 電極埋入二氧化硅 (SiO2) 層中，提高了TCF和品質因數(shù)。
圖5：SAW與TC-SAW比較
要在SAW上采用溫度系數(shù)，需要將叉指式換能器 (IDT) 與任何環(huán)境溫度變化隔離開來。要實現(xiàn)這種隔離，需要使用 SiO2 層覆蓋 SAW 結構，有時候還需要額外的氮化硅層，如圖5右側所示。
TC-SAW改善濾波器性能，以應對LTE和5G嚴格的頻段分配，以及上行鏈路和高功率用戶設備 (HPUE) 的載波聚合 (CA)。這些改善包括更低的插入損耗、更陡的裙邊特性、溫度穩(wěn)定性、更高的電源耐久性、更寬的帶寬頻率范圍、更高的線性度、更小的尺寸和集成。為了實現(xiàn)這些特性，需要使用更高的Q因數(shù)和較小的頻率溫度系數(shù) (TCF)。
多層SAW
在傳統(tǒng)的SAW基板結構中，聲波沿表面?zhèn)鞑?，在電極下達到幾個波長，體聲波輻射模式則是出現(xiàn)在基板深處。這會導致體聲波泄漏，使Q因數(shù)、TCF和耦合降低。
降低這種泄漏的方法之一是創(chuàng)建一個新的多層結構或是創(chuàng)建TC-SAW的變型，如圖6所示。在壓電層和功能層表面以下增加這個額外的SiO2層會提供一個重要益處：將在表面?zhèn)鞑サ腟AW引入壓電層和功能層。這會將聲學能量限制在表面附近，從而改善TCF和Q因數(shù)。
圖6：多層SAW與SAW的比較
市面上有幾種類型的SAW濾波器。它們被稱為SAW、TC-SAW和多層SAW，也被稱為引導式SAW、LRT-SAW、TF-SAW、ultra-SAW和IHP-SAW。它們都屬于SAW種類，在基板和功能層之間增加一層，例如SiO2，如圖6所示。在本書中，我們將這種類型稱為SAW。
多層SAW的性能要高于標準SAW濾波器。在有些頻段中，多層SAW的性能能媲美BAW濾波器，接下來我們會討論這一點。
多層SAW技術以分布在隔離器上的壓電材料為基礎。在多層SAW中，熱補償機制直接來自基板，而不是源自電極表面。
下表比較了各種聲學SAW RF濾波器技術的不同特點。
BAW濾波器
BAW可用于替代SAW。BAW濾波器支持1.4至9GHz頻率范圍。
除了結構之外，BAW和SAW的主要區(qū)別在于濾波器賴以使用的壓電材料。BAW濾波器使用多晶氮化鋁，具有更高的耦合系數(shù)和更高的波速。
BAW濾波器的聲學能量密度非常高，且其結構能夠很好地捕捉聲波，因此能夠實現(xiàn)極低的損耗。此外，相比在微波頻率下使用的其他尺寸合適的濾波器類型，它們可實現(xiàn)的Q因數(shù)更高。如此可以實現(xiàn)出色的抑制和插入損耗性能，在關鍵的帶通邊沿也是如此。
BAW濾波器提供更低的插入損耗，有助于延長智能手機應用中的電池使用壽命。BAW還適用于上行鏈路和下行鏈路之間分隔很短的應用，以及在緊密排列的相鄰頻段中對衰減要求很高的應用。
與SAW濾波器不同，BAW濾波器中的聲波是垂直傳播的。如圖7所示，諧振器使用石英晶體作為基板。石英頂部和底部兩側的金屬路徑激發(fā)聲波，聲波從頂部反彈到底部表面，形成駐波。平板的厚度和電極的質量決定了諧振發(fā)生的頻率。在BAW濾波器有效的高頻率下，壓電層必須只有幾微米厚，這就要求諧振器結構是以載波基板為底，利用薄膜淀積和精密加工構成。
圖7：基本的BAW RF濾波器
在這種類型的濾波器中，為了防止聲波逃逸到基板中，會堆疊剛度和密度交替變化的薄層來創(chuàng)建布拉格聲學反射器。構建出的器件被稱為固載諧振器(SMR) BAW，如圖7所示。布拉格反射器由多層交替材料構成，這些材料的折射率各不相同。
市面上主要有兩種類型的BAW濾波器，如圖8所示：固載諧振器(SMR) BAW和多晶薄膜體聲波諧振器 (FBAR)。
圖8：BAW濾波器技術的截面比較
從技術角度來看，最大區(qū)別在于基板，以及基板和底層電極之間的空腔。根據(jù)下表，可以看出堆疊層BAW的溫度補償性能最佳。
有些公司會使用自己的品牌名稱來指代FBAR或BAW技術，但它們都歸屬于BAW或FBAR這兩類技術。例如，XBAW就是另一種FBAR，超BAW是另一種BAW。XBAR是一種剪波BAW技術，具有場橫向耦合的特性；但是，這項技術還處于研發(fā)階段，尚未投產(chǎn)……
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本文轉載自：Qorvo半導體
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