導言:面向LTE基站和類似應(yīng)用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù),TriQuint開始供應(yīng)兩款表面貼裝式封裝的低噪聲放大器。這批器件采用新封裝的砷化鎵(GaAs)低噪聲放大器在400至2700 MHz應(yīng)用中提供一流性能。
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導廠商TriQuint半導體公司,開始供應(yīng)兩款表面貼裝式封裝的低噪聲放大器(LNA)TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品,為面向基站和類似應(yīng)用的集成、封裝解決方案提供最低的噪聲系數(shù)。
這些采用TriQuint砷化鎵E-pHEMT工藝的新器件,包括工作頻率為400至1500 MHz、噪聲系數(shù)為0.45 dB的TQP3M9036和工作頻率為1500至2700 MHz、噪聲系數(shù)為0.40 dB的TQP3M9037。兩款放大器均非常適用于基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,如蜂窩基站、塔頂放大器(TMA)、小蜂窩無線網(wǎng)絡(luò)、中繼器、700 MHz LTE網(wǎng)絡(luò)以及使用UHF頻譜中“空白信號頻譜”(white space)的新興無線系統(tǒng)。
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下頁內(nèi)容:針對700MHz LTE基站低成本、高性能和低噪聲的Triquint放大器
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TriQuint新的解決方案將通常由外部元件整合的關(guān)鍵功能集成在芯片上和封裝之內(nèi),因而簡化了射頻設(shè)計。新的低噪放還解決TDD-LTE市場對集成數(shù)字關(guān)機偏置能力日益增長的要求,并且可以從偏置電壓+3 V至+5 V提供高性能,無需負電源電壓。偏置網(wǎng)絡(luò)通過電流反射鏡和反饋電保持對溫度變化的穩(wěn)定性;并且還提供了數(shù)字斷電功能的開關(guān)電路。TriQuint的新低噪聲放大器已經(jīng)進行了最優(yōu)化的片上配置,來提供最佳的噪聲系數(shù)、線性度和可靠性的組合。
這兩款TriQuint的新器件都與TriQuint產(chǎn)品組合中同類產(chǎn)品引腳兼容,并安裝在符合RoHS規(guī)范的行業(yè)標準,2x2毫米,8引腳DFN的封裝。他們是極為堅固的器件, 能阻斷高功率干擾輸入信號或大于 +22 dBm的發(fā)射功率泄漏 。這些器件還絕對穩(wěn)定,可消除潛在的振蕩。TQP3M9036和TQP3M9037均內(nèi)部匹配50歐姆,操作時不需要任何外部匹配電路。
技術(shù)細節(jié):
目前供應(yīng)TQP3M9036和TQP3M9037的初始樣品,預(yù)計將于2012年9月開始量產(chǎn)。
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