中心議題：
- 晶閘管電機(jī)軟起動器工作原理
- 晶閘管的選型
- 晶閘管的過壓、過流、過熱保護(hù)設(shè)計
隨著國民經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展，高壓電動機(jī)的數(shù)量不斷增加。由于大電機(jī)直接起動時的電流為額定電流的5～7倍，而啟動轉(zhuǎn)矩只有額定轉(zhuǎn)矩的0.4～1.6倍。它在電網(wǎng)條件（電機(jī)啟動時的電網(wǎng)壓降小于10%）和工藝條件（啟動轉(zhuǎn)矩滿足）允許的情況下，可以直接啟動。但過大的啟動電流、過小的啟動轉(zhuǎn)矩和過長的啟動時間給電機(jī)和電網(wǎng)造成了極大的危害。常導(dǎo)致電網(wǎng)電壓、諧波電壓波動的增大，以至前級跳閘，大大地增加了電網(wǎng)的負(fù)擔(dān)及電網(wǎng)污染，嚴(yán)重影響電網(wǎng)的安全運(yùn)行。同時，也對自身造成了很大傷害。因此，必須在電源和電機(jī)之間串入軟起動器來解決這些問題。
晶閘管電機(jī)軟起動器的出現(xiàn)，很好的解決了以上問題，它彌補(bǔ)了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足，很好地降低了電機(jī)的起動電流，降低了配電容量，延長了電機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整，易于維護(hù)。
1晶閘管電機(jī)軟起動器工作原理
晶閘管在高壓電機(jī)軟起動器中的應(yīng)用是一種利用晶閘管進(jìn)行交流調(diào)壓的應(yīng)用。利用晶閘管可以相控改變晶閘管導(dǎo)通的相位角來調(diào)節(jié)電壓。
晶閘管移相式軟起動器是改變正弦交流電壓的波形，使之變?yōu)榉钦颐}沖式交流電，通過調(diào)節(jié)其占空比，如圖1所示。
圖1 移相式調(diào)壓
注釋：
（1）α：控制角。指觸發(fā)脈沖的加入時間。
（2）q：導(dǎo)通角。每半個周期晶閘管導(dǎo)通角度。控制角越大，導(dǎo)通角越小，它們的和為定值α+q=p。它改變交流電的平均電壓，其平均電壓是可控的、平滑變化的。
2 晶閘管的選型
晶閘管是電機(jī)軟起動器中最關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管額定電流、額定電壓等參數(shù)有很大的關(guān)系。選型的原則應(yīng)該首先考慮工作可靠性，即電流、電壓必須有足夠的余量倍數(shù)。其次應(yīng)考慮經(jīng)濟(jì)性即性價比，最后應(yīng)考慮安裝美觀、體積盡量減小等。
對于6kv、10kv的高壓電機(jī)，由于電壓高，所以需要將晶閘管反并聯(lián)后再串聯(lián)起來。6kv每相需要6只晶閘管（2只反并聯(lián)后，3組串聯(lián)），10kv每相需要10只晶閘管（2只反并聯(lián)后，5組串聯(lián)）。這樣對于每只晶閘管來說所承受的電壓約為2000v，所以所選擇的晶閘管的正反向不重復(fù)額定電壓vdsm、vrsm應(yīng)為6500v以上。
對晶閘管額定電流的選擇，必須考慮電機(jī)的額定工作電流。一般來說，晶閘管的電流應(yīng)是電機(jī)額定電流的3~4倍。
在晶閘管高壓電機(jī)軟起動裝置中，采用2個獨(dú)立晶閘管器件反并聯(lián)組成的交流相控調(diào)壓，正負(fù)半周各對應(yīng)1個晶閘管工作，因此對2個反并聯(lián)器件參數(shù)的一致性要求較高。包括晶閘管觸發(fā)參數(shù)，維持電流參數(shù)等也都盡量要求挑選一致。盡量讓正負(fù)半波對稱，否則會有直流成分電流流過電機(jī)。由于電機(jī)為繞組負(fù)載為電感性的，因此過高的直流份量會使得電機(jī)定子發(fā)熱嚴(yán)重，甚至?xí)龤щ姍C(jī)繞組，從而使電機(jī)報廢。
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3 晶閘管保護(hù)
晶閘管承受過電壓、過電流的能力很差，這是它的主要缺點(diǎn)。晶閘管的熱容量很小，一旦發(fā)生過電流時，溫度急劇上升，可能將pn結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或開路。例如一只100a的晶閘管過電流為400a時，僅允許持續(xù)0.02s，否則將因過熱而損壞；晶閘管耐受過電壓的能力極差，電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。
3.1 晶閘管的過壓保護(hù)
在晶閘管兩端并聯(lián)r-c阻容吸收回路，如圖2所示，利用電容吸收過壓。其實質(zhì)就是將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中，然后釋放到電阻中消耗掉。
圖2 阻容吸收
晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感l(wèi)b）釋放能量會產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感l(wèi)很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢l（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取抑制措施。
阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。
阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。最好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。
3.2 晶閘管的過流保護(hù)
由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。
產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。
晶閘管過電流保護(hù)方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來保護(hù)晶閘管?？焖偃蹟嗥饔摄y制熔絲埋于石英沙內(nèi)，熔斷時間極短，可以用來保護(hù)晶閘管。
與普通熔斷器比較，快速熔斷器是專門用來保護(hù)半導(dǎo)體功率器件過電流的。它具有快速熔斷的特性，在流過6倍額定電流時其熔斷時間小于50hz交流電的一個周期（20ms）。一般說來快速熔斷器額定電流有效值應(yīng)小于被保護(hù)晶閘管的額定有效值，同時要大于流過晶閘管的實際有效值。
3.3 晶閘管的過熱保護(hù)
晶閘管在電流通過時，會產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。
散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。
4 結(jié)束語
晶閘管在高壓軟起動中的應(yīng)用，為軟起動帶來了革命性的變化，它將在軟起動的發(fā)展史上留下濃重的一筆。
