產(chǎn)品特性：
- 產(chǎn)品分620V和525V兩種
- 導(dǎo)通電阻低至1.28Ω/0.98Ω
- 出色的dv/dt特性
- 采用小封裝，減少占位空間
應(yīng)用范圍：
- 鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器
- 半橋電路
- 開(kāi)關(guān)電源
意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開(kāi)關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開(kāi)關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，結(jié)合更低的導(dǎo)通電阻，確保晶體管具有更高的能效。此外，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，隨后還將推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn)，在620V電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到 1.28Ω；在525V電壓下，STD7N52K3把導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到0.98Ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。新技術(shù)還降低反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)、柵電荷量和本征電容，提高開(kāi)關(guān)性能和工作頻率。
優(yōu)化的垂直結(jié)構(gòu)和帶狀拓?fù)涞娜诤?，為意法半?dǎo)體的SuperMESH3技術(shù)增添了一個(gè)新的優(yōu)點(diǎn)：即出色的dv/dt特性。這個(gè)特性可以讓照明系統(tǒng)和消費(fèi)電子設(shè)備具有更高的可靠性和安全性。為實(shí)現(xiàn)全方位的強(qiáng)健性，SuperMESH3器件全部經(jīng)過(guò)了100%的雪崩測(cè)試，并集成了齊納二極管保護(hù)功能。
在可比的快速恢復(fù)高壓晶體管技術(shù)中，SuperMESH3的單位面積導(dǎo)通電阻最小，受益于這項(xiàng)技術(shù)， STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以使用比同級(jí)別產(chǎn)品尺寸更小的封裝，如DPAK。這可以節(jié)省晶體管的占位面積和電路板空間，同時(shí)，在開(kāi)關(guān)和散熱性能方面，還能與尺寸更大的產(chǎn)品媲美。
STx6N62K3采用IPAK、DPAK、TO-220和TO-220FP封裝。
2.5Ω的STx3N62K3將采用IPAK、DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝。0.98Ω的STx7N52K3將采用DPAK、D2PAK、TO-220和TO-220FP封裝，1.2Ω的STx6N52K3將采用DPAK和TO-220FP封裝。這些產(chǎn)品將豐富SuperMESH3 620V和525V系列產(chǎn)品組合，新產(chǎn)品將于2008年第四季度投產(chǎn)。
