產(chǎn)品特性：
- 采用TSOP-6封裝
- 具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))
- 能夠大幅降低傳導(dǎo)損耗
- 最大柵極驅(qū)動(dòng)從12Vgs到20Vgs不等
適用范圍：
- 適用于電池保護(hù)與逆變器開(kāi)關(guān)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、充電和放電開(kāi)關(guān)等低功率應(yīng)用
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開(kāi)關(guān)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、充電和放電開(kāi)關(guān)等低功率應(yīng)用。
全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導(dǎo)損耗。新產(chǎn)品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅(qū)動(dòng)從12Vgs到20Vgs不等。
IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列，與采用SOT-23和SO-8封裝的現(xiàn)有器件相輔相成，為客戶設(shè)計(jì)系統(tǒng)提供了更大的靈活性。這個(gè)平臺(tái)擁有極低的導(dǎo)通電阻，因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET，有助于減少電路板面積和系統(tǒng)成本。”
所有新器件均達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。
產(chǎn)品規(guī)格
