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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長(zhǎng)死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電...
2023-10-22
功率逆變器 柵極電阻 選型
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進(jìn)軍軟磁材料 龍磁科技將如何整合原有優(yōu)勢(shì)
作為軟磁材料行業(yè)的后來者，龍磁科技吸取了先行者在過去三十余年的教訓(xùn)，也提煉了成功者的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，打造更具成本優(yōu)勢(shì)軟磁材料產(chǎn)品，并在軟磁材料生產(chǎn)過程中根據(jù)客戶的不同需求,有針對(duì)性地優(yōu)化產(chǎn)品和服務(wù)，增強(qiáng)服務(wù)的粘性。
2023-10-14
軟磁材料 龍磁科技
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為什么去耦電容器很重要
系統(tǒng)噪聲是當(dāng)今所有數(shù)字設(shè)備普遍面臨的問題。不斷追求更快的接口和更低的功耗導(dǎo)致設(shè)備越來越容易受到來自電源和信號(hào)線的干擾。
2023-10-14
去耦電容器 系統(tǒng)噪聲
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普冉半導(dǎo)體與IAR達(dá)成合作，為嵌入式開發(fā)者帶來卓越開發(fā)體驗(yàn)
中國(guó)上海–2023年10月11日–嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者IAR與普冉半導(dǎo)體共同宣布達(dá)成合作：IAR Embedded Workbench for Arm將全面支持普冉半導(dǎo)體32位Arm? Cortex? - M0+/M4系列微控制器。IAR將為普冉提供完整的開發(fā)工具支持，包括但不限于代碼編輯、編譯、調(diào)試等功能，使開發(fā)者能夠充分發(fā)揮普冉...
2023-10-12
普冉半導(dǎo)體 IAR 嵌入式
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2023上海國(guó)際樂器展覽會(huì)：Donner 唐農(nóng)樂器發(fā)布2023年上海樂器展藝人演出陣容
摘要：日本吉他手MIYAVI、Neo Soul新銳吉他手代表 Ruben Wan、電子音樂人Panta.Q 、合成器音樂人RustyChuan 等藝人將亮相2023上海樂器展
2023-10-09
上海國(guó)際樂器展覽會(huì)
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非隔離式變換器電磁干擾（EMI）的分析與建模方法（下）
如果在設(shè)計(jì)初期沒有考慮電磁干擾(EMI)問題，那元件在最終設(shè)計(jì)階段將很難滿足 EMI 要求。對(duì) EMI 進(jìn)行建模與分析將幫助設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)之初即優(yōu)化 EMI 并預(yù)測(cè) EMI 性能。
2023-09-20
變換器 電磁干擾 建模
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485隔離模塊應(yīng)用遇到問題無(wú)法解決？看這一篇就夠了！
在使用總線通訊模塊時(shí)，工程師常常會(huì)遇到產(chǎn)品失效的情況，無(wú)法找到對(duì)應(yīng)的解決方案。本文將對(duì)隔離收發(fā)模塊應(yīng)用時(shí)可能遇到的常見問題進(jìn)行梳理，進(jìn)行原因分析并提供對(duì)應(yīng)解決方案。
2023-09-19
485 隔離模塊 應(yīng)用
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如何降低微控制器系統(tǒng)中的噪聲影響（3）
在本系列文章中，我們研究了噪聲以及它如何干擾基于微控制器的系統(tǒng)的操作。本篇作為系列內(nèi)容的最后一篇，我們將看看一些可以用來最大限度地減少噪音影響的“規(guī)則”。
2023-09-12
微控制器系統(tǒng) 噪聲影響
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如何降低微控制器系統(tǒng)中的噪聲影響（2）
在本系列的前一篇文章中，我們研究了理想化的數(shù)字世界與我們必須設(shè)計(jì)的現(xiàn)實(shí)世界之間的差異，并研究了我們需要管理的各種類型的噪聲。本篇我們將看看我們可能遇到的一些典型的噪聲源。這些來源既可以是我們系統(tǒng)的外部，也可以是內(nèi)部的。
2023-09-11
微控制器系統(tǒng) 噪聲影響
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