【導(dǎo)讀】增加PN結(jié)上的反向偏置電壓VJ會(huì)導(dǎo)致連接處電荷的重新分配，形成耗盡區(qū)或耗盡層（圖1中的W）。這個(gè)耗盡層充當(dāng)電容的兩個(gè)導(dǎo)電板之間的絕緣體。
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目的是測(cè)量反向偏置PN結(jié)的容值與電壓的關(guān)系。
背景知識(shí)
PN結(jié)電容
增加PN結(jié)上的反向偏置電壓VJ會(huì)導(dǎo)致連接處電荷的重新分配，形成耗盡區(qū)或耗盡層（圖1中的W）。這個(gè)耗盡層充當(dāng)電容的兩個(gè)導(dǎo)電板之間的絕緣體。這個(gè)W層的厚度與施加的電場(chǎng)和摻雜濃度呈函數(shù)關(guān)系。PN結(jié)電容分為勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容兩部分。在反向偏置條件下，不會(huì)發(fā)生自由載流子注入；因此，擴(kuò)散電容等于零。對(duì)于反向和小于二極管開(kāi)啟電壓（硅芯片為0.6 V）的正偏置電壓，勢(shì)壘電容是主要的電容來(lái)源。在實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)結(jié)面積和摻雜濃度的不同，勢(shì)壘電容可以小至零點(diǎn)幾pF，也可以達(dá)到幾百pF。結(jié)電容與施加的偏置電壓之間的依賴關(guān)系被稱(chēng)為結(jié)的電容-電壓(CV)特性。在本次實(shí)驗(yàn)中，您將測(cè)量各個(gè)PN結(jié)（二極管）此特性的值，并繪制數(shù)值圖。
圖1.PN結(jié)耗盡區(qū)。
材料
ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
無(wú)焊面包板
一個(gè)10 kΩ電阻
一個(gè)39 pF電容
一個(gè)1N4001二極管
一個(gè)1N3064二極管
一個(gè)1N914二極管
紅色、黃色和綠色LED
一個(gè)2N3904 NPN晶體管
一個(gè)2N3906 PNP晶體管
步驟1
在無(wú)焊面包板上，按照?qǐng)D2和圖3所示構(gòu)建測(cè)試設(shè)置。第一步是利用在AWG輸出和示波器輸入之間連接的已知電容C1來(lái)測(cè)量未知電容Cm。兩個(gè)示波器負(fù)輸入1–和2–都接地。示波器通道1+輸入與AWG1輸出W1一起連接到面包板上的同一行。將示波器通道2+插入面包板,且保證與插入的AWG輸出間隔8到10行，將與示波器通道2+相鄰偏向AWG1的那一行接地，保證AWG1和示波器通道2之間任何不必要的雜散耦合最小。由于沒(méi)有屏蔽飛線，盡量讓W(xué)1和1+兩條連接線遠(yuǎn)離2+連接線。
圖2.用于測(cè)量Cm的步驟1設(shè)置
硬件設(shè)置
使用Scopy軟件中的網(wǎng)絡(luò)分析儀工具獲取增益（衰減）與頻率（5 kHz至10 MHz）的關(guān)系圖。示波器通道1為濾波器輸入，示波器通道2為濾波器輸出。將AWG偏置設(shè)置為1 V，幅度設(shè)置為200 mV。測(cè)量一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)際電容時(shí)，偏置值并不重要，但在后續(xù)步驟中測(cè)量二極管時(shí)，偏置值將會(huì)用作反向偏置電壓?？v坐標(biāo)范圍設(shè)置為+1 dB（起點(diǎn)）至–50 dB。運(yùn)行單次掃描，然后將數(shù)據(jù)導(dǎo)出到.csv文件。您會(huì)發(fā)現(xiàn)存在高通特性，即在極低頻率下具有高衰減，而在這些頻率下，相比R1，電容的阻抗非常大。在頻率掃描的高頻區(qū)域，應(yīng)該存在一個(gè)相對(duì)較為平坦的區(qū)域，此時(shí)，C1、Cm容性分壓器的阻抗要遠(yuǎn)低于R1。
圖3.用于測(cè)量Cm的步驟1設(shè)置
步驟1
圖4.Scopy屏幕截圖。
我們選擇讓C1遠(yuǎn)大于Cstray，這樣可以在計(jì)算中忽略Cstray，但是計(jì)算得出的值仍與未知的Cm相近。
在電子表格程序中打開(kāi)保存的數(shù)據(jù)文件，滾動(dòng)至接近高頻(>1 MHz)數(shù)據(jù)的末尾部分，其衰減電平基本是平坦的。記錄幅度值為GHF1（單位：dB）。在已知GHF1和C1的情況下，我們可以使用以下公式計(jì)算Cm。記下Cm值，在下一步測(cè)量各種二極管PN結(jié)的電容時(shí)，我們需要用到這個(gè)值。
步驟2
現(xiàn)在，我們將在各種反向偏置條件下，測(cè)量ADALM2000模擬套件中各種二極管的電容。在無(wú)焊面包板上，按照?qǐng)D4和圖5所示構(gòu)建測(cè)試設(shè)置。只需要使用D1(1N4001)替換C1。插入二極管，確保極性正確，這樣AWG1中的正偏置將使二極管反向偏置。
圖5.用于測(cè)量二極管電容的步驟2設(shè)置。
硬件設(shè)置
圖6.用于測(cè)量二極管電容的步驟2設(shè)置。
使用Scopy軟件中的網(wǎng)絡(luò)分析儀工具獲取表1中各AWG 1 DC偏置值時(shí)增益（衰減）與頻率（5 kHz至10 MHz）的關(guān)系圖。將每次掃描的數(shù)據(jù)導(dǎo)出到不同的.csv文件。
程序步驟
在表1剩余的部分，填入各偏置電壓值的GHF值，然后使用Cm值和步驟1中的公式來(lái)計(jì)算Cdiode的值。
圖7.偏置為0 V時(shí)的Scopy屏幕截圖。
使用ADALM2000套件中的1N3064二極管替換1N4001二極管，然后重復(fù)對(duì)第一個(gè)二極管執(zhí)行的掃描步驟。將測(cè)量數(shù)據(jù)和計(jì)算得出的Cdiode值填入另一個(gè)表。與1N4001二極管的值相比，1N3064的值有何不同？您應(yīng)該附上您測(cè)量的各二極管的電容與反向偏置電壓圖表。
然后，使用ADALM2000套件中的一個(gè)1N914二極管，替換1N3064二極管。然后，重復(fù)您剛對(duì)其他二極管執(zhí)行的相同掃描步驟。將測(cè)量數(shù)據(jù)和計(jì)算得出的Cdiode值填入另一個(gè)表。與1N4001和1N3064二極管的值相比，1N914的值有何不同？
您測(cè)量的1N914二極管的電容應(yīng)該遠(yuǎn)小于其他兩個(gè)二極管的電容。該值可能非常小，幾乎與Cstray的值相當(dāng)。
額外加分的測(cè)量
發(fā)光二極管或LED也是PN結(jié)。它們是由硅以外的材料制成的，所以它們的導(dǎo)通電壓與普通二極管有很大不同。但是，它們?nèi)匀痪哂泻谋M層和電容。為了獲得額外加分，請(qǐng)和測(cè)量普通二極管一樣，測(cè)量ADALM2000模擬器套件中的紅色、黃色和綠色LED。在測(cè)試設(shè)置中插入LED，確保極性正確，以便實(shí)現(xiàn)反向偏置。如果操作有誤，LED有時(shí)可能會(huì)亮起。
