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ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響（上）
在理想化的情境下，電容器的設(shè)計(jì)理論上可以追求零電阻狀態(tài)。然而，這在物理現(xiàn)實(shí)中無(wú)法實(shí)現(xiàn)，因?yàn)殡娙萜鲀?nèi)部總會(huì)不可避免地存在一種與電容本身串聯(lián)的內(nèi)部電阻，即所謂的等效串聯(lián)電阻（ESR）。不同類(lèi)型的電容器，其ESR值會(huì)有所差異，這一差異受多種因素的綜合影響，如介電材料的選用、操作頻率的高低...
2025-01-02
ESR 陶瓷電容器
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【“源”察秋毫系列】DC-DC電源效率測(cè)試，確保高效能與可靠性的關(guān)鍵步驟
DC-DC電源轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，從便攜式電子產(chǎn)品到工業(yè)控制系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍廣泛。為了確保這些設(shè)備的高效能與可靠性，對(duì)DC-DC電源進(jìn)行效率測(cè)試顯得尤為重要。本文將詳細(xì)探討DC-DC電源效率測(cè)試的目的及其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性。
2024-12-31
DC-DC電源
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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC
典型的有刷直流電機(jī)是一種非常方便但噪音很大的設(shè)備。電刷實(shí)現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱(chēng)為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開(kāi)會(huì)導(dǎo)致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機(jī)的電路（通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)傳導(dǎo)路徑）以及附近的組件（通過(guò) EMI）。
2024-12-29
消除電刷 噪音 ROHM 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC
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雙向電源設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)
現(xiàn)在可供設(shè)計(jì)人員使用的模塊化組件提供了兩個(gè)關(guān)鍵屬性：它們可用作有效且高效的“直流變壓器” - 也就是說(shuō)，它們提供固定比率的直流-直流轉(zhuǎn)換：并且它們本質(zhì)上是雙向的。關(guān)于如何實(shí)現(xiàn)雙向操作的詳細(xì)描述超出了本文的范圍；但是，通過(guò)查看作為支持技術(shù)的正弦振幅轉(zhuǎn)換器的主要元件，可以獲得“粗略”的理解。
2024-12-28
雙向電源 對(duì)稱(chēng)轉(zhuǎn)換器
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準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓?fù)洳煌?，qZSI 可以處理功率波動(dòng)。qZSI 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)增強(qiáng)了對(duì)突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓?fù)溲葑兌鴣?lái)的，允許在一個(gè)階段進(jìn)行升壓和降壓操作。
2024-12-22
逆變器
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能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)
二十多年來(lái)，科學(xué)家和氣候?qū)W家一直在發(fā)出警示，提醒人們關(guān)注全球變暖的影響及其與溫室氣體（GHG）排放之間的聯(lián)系。但如今，全球社會(huì)的注意力已經(jīng)轉(zhuǎn)向具體的行動(dòng)，以及如何解決氣候變化的根本原因和相關(guān)影響。半導(dǎo)體是現(xiàn)代設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)（EV）、智能手機(jī)、機(jī)器人等產(chǎn)品的大腦中樞。通過(guò)定制創(chuàng)新和自...
2024-12-20
能源 清潔科技 可持續(xù)發(fā)展
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對(duì)比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設(shè)計(jì)分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有很多，而且經(jīng)常爭(zhēng)論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運(yùn)算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-13
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機(jī) 工業(yè) SiC 芯片技術(shù)
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用4200A和矩陣開(kāi)關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。
2024-12-12
矩陣開(kāi)關(guān) 熱載流子
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