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模電的半壁江山——運(yùn)算放大器的原理和應(yīng)用
大家學(xué)習(xí)電子都會(huì)接觸運(yùn)算放大器，常常聽到虛短虛斷一說。虛短虛斷是解開負(fù)反饋運(yùn)放電路的核心方法，具體就要從運(yùn)放的原理開始說起了。
2024-01-31
模電 運(yùn)算放大器
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有助于強(qiáng)化電網(wǎng)的電池管理技術(shù)
隨著電動(dòng)汽車 (EV) 的日益普及以及向更多可再生能源的過渡，我們一個(gè)多世紀(jì)以來對(duì)化石燃料的依賴正在降低。越來越多的電力公司轉(zhuǎn)而使用太陽能電池板和風(fēng)力渦輪機(jī)（而不是天然氣渦輪機(jī)）發(fā)電，從而為電動(dòng)汽車充電，并為我們的家庭和企業(yè)供電。這些趨勢使我們距離可持續(xù)能源的未來又近了一步。
2024-01-30
電網(wǎng) 電池管理
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門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng)，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越...
2024-01-29
門極驅(qū)動(dòng) 功率半導(dǎo)體
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對(duì)于采用雙向自動(dòng)檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析
TXB0104是應(yīng)用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識(shí)別信號(hào)傳輸方向的時(shí)候，需要注意外部硬件設(shè)計(jì)，不然可能會(huì)出現(xiàn)掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。
2024-01-18
雙向自動(dòng)檢測IC TXB0104 端口傳輸
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電池儲(chǔ)能系統(tǒng)需要克服的三大設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
太陽能和風(fēng)能為電網(wǎng)帶來了可再生能源，但供需不平衡的問題成為影響此類能源利用率的主要限制因素。雖然太陽能在中午很充足，但此時(shí)的用電需求不夠高，所以消費(fèi)者的用電成本仍然居高不下。
2024-01-18
電池 儲(chǔ)能系統(tǒng)
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中國（南京）國際氫能及燃料電池產(chǎn)業(yè)大會(huì)
為貫徹落實(shí)《氫能產(chǎn)業(yè)發(fā)展中長期規(guī)劃（2021-2035 年）》要求，加快推進(jìn)我國氫能源及燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作、成果轉(zhuǎn)化和商業(yè)應(yīng)用，促進(jìn)氫能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展，我國燃料電池汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入提速關(guān)鍵期，“氫能高速”號(hào)角正式吹響，
2024-01-15
氫能 燃料電池
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低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。
2024-01-12
GaN 交流電源 直流電源 拓?fù)?/p>
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了解嵌入式驅(qū)動(dòng)器中的電源模塊
將逆變器從控制柜轉(zhuǎn)移到電機(jī)導(dǎo)致了新的逆變器設(shè)計(jì)要求。其中要求的是熱管理。標(biāo)準(zhǔn)柜式逆變器在相當(dāng)友好的環(huán)境中運(yùn)行，沒有特殊的 IP 保護(hù)要求，與電機(jī)不同，電機(jī)安裝在生產(chǎn)線中靠近正在加工的貨物的位置。相比之下，嵌入式驅(qū)動(dòng)器使用內(nèi)部逆變器，這要求電機(jī)和逆變器都防水、防塵，從而影響系統(tǒng)的熱...
2024-01-09
嵌入式驅(qū)動(dòng)器 電源模塊
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動(dòng)、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動(dòng)IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
MOS 變頻器
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